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参数资料
| 型号： | DMN2114SN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2114SNDIDKR |
DMN2114SN
5
T A = 25°C
4
3.5
4
3V, 3.5V, 4V, 5V
3.0V
3
V DS = 10V
3
2.5V
2.5
T A = 125°C
2
2
2.0V
1.5
T A = 25°C
1
1
0
V GS = 1.5V
0.5
0
T A = -55°C
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T J = 25°C
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
I D = 0.5A
I D = 1.0A
0.1
0.01
2.5V
4.5V
0
2
4 6 8
10
0
1 2 3
4
0.3
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 On-Resistance vs. Gate Voltage
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current
0.25
1.2
V DS = 10V
I D = 1mA
0.2
0.15
0.1
0.05
0
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
I D = 0.5A
I D = 0.5A, 1A
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-50
0 50 100
150
-50
0 50 100 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Voltage vs. Temperature
DMN2114SN
Document number: DS30829 Rev. 5 - 2
2 of 4
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2170U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2170U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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