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参数资料
| 型号： | DMN2114SN-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SC-59 Package Top SC-59 Package Side |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2114SNDIDKR |
DMN2114SN
4
3.5
3
2.5
V GS = 4.5V
2.5V
1,000
C iss
f = 1MHz
V GS = 0V
T A = 25°C
2
1.5
1
100
C oss
C rss
0.5
0
0V
-4.5V
10
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
5 10 15
20
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
Ordering Information
(Note 4)
Part Number
DMN2114SN-7
Case
SC59
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
NS2 = Product Type Marking Code
NS2
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: T = 2006
M = Month ex: 9 = September
Date Code Key
Year
Code
2006
T
2007
U
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
Package Outline Dimensions
A
SC59
Dim Min Max
A
0.35 0.50
TOP VIEW
G
H
B C
B
C
D
E
G
H
J
1.50 1.70
2.70 3.00
0.95
? ?
1.90
2.90 3.10
0.013 0.10
K
N
M
K
L
1.00 1.30
0.35 0.55
M
0.10 0.20
J
D
E
L
N
α
0.70 0.80
0° 8°
All Dimensions in mm
DMN2114SN
Document number: DS30829 Rev. 5 - 2
3 of 4
www.diodes.com
August 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2170U-7 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 |
| DMN21D2UFB-7B | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
| DMN2215UDM-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 |
| DMN2230U-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 |
| DMN2300U-7 | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2170U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2170U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN21D2UFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2215UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2215UDM-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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