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参数资料
| 型号： | DMN2215UDM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 产品目录绘图： | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 188pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 650mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2215UDMDIDKR |
DMN2215UDM
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
IDSS
IGSS
20
?
?
?
?
?
?
1
± 10
V
μ A
μ A
V GS = 0V, I D = 10 μ A
V DS = 20V, V GS = 0V
V GS = ± 12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
V GS(th)
R DS (ON)
0.6
?
?
80
105
1.0
100
140
V
m Ω
V DS = V CS , I D = 250 μ A
V GS = 4.5V, I D = 2.5A
V GS = 2.5V, I D = 1.5A
165
215
V GS = 1.8V, I D = 1.0A
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 5)
|Y fs |
V SD
?
?
5
0.73
?
1.1
S
V
V DS =5V, I D = 2.4A
V GS = 0V, I S = 1.05A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t t
?
?
?
?
?
?
?
188
44
30
8
3.8
19.6
8.3
?
?
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
ns
V DS = 10V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DD = 10V, R L = 10 Ω
I D = 1A, V GEN = 4.5V, R G = 6 Ω
Notes:
10
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8
7
8
6
6
4
5
4
3
2
2
1
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
DMN2215UDM
Document number: DS31176 Rev. 4 - 2
2 of 4
www.diodes.com
June 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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