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参数资料
| 型号： | DMN3024SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 478.9pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3024SFG-7DIDKR |
DMN3024SFG
0.05
0.04
V GS = 10V
0.04
0.03
V GS = 3.5V
0.03
T A = 150°C
T A = 125°C
0.02
0.01
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.02
0.01
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.06
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
1.3
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 10V
0.05
0.04
I D = 10A
V GS = 4.5V
1.1
0.9
0.7
0.03
0.02
0.01
I D = 5A
V GS = 10V
I D = 10A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
18
1.8
16
1.6
14
1.4
I D = 1mA
12
T A = 25°C
10
1.2
1.0
I D = 250μA
8
6
4
0.8
2
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN3024SFG
Document number: DS35439 Rev. 3 - 2
4 of 7
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3029LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
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参数描述 |
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