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参数资料
| 型号： | DMN3024SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 478.9pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3024SFG-7DIDKR |
DMN3024SFG
1,000
C iss
f = 1MHz
10
8
6
V DS = 15V
I D = 10A
100
C oss
C rss
4
2
10
0
5 10 15 20 25
30
0
0
2 4 6 8 10
12
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
R θ JA(t) (t) * R θ JA
90
80
Single Pulse
R θ JA = 61 ° C/W
=r
T J A = P * R θ JA(t)
-T
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 11 Single Pulse Maximum Power Dissipation
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
0.01
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 54°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMN3024SFG
Document number: DS35439 Rev. 3 - 2
5 of 7
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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