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参数资料
| 型号： | DMN3033LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 725pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3033LSD
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
30
? 20
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I DM
6.9
5.8
30
A
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J, T STG
Value
2
62.5
-55 to +150
Unit
W
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
??
?
?
?
??
?
100
? 100
1
V
nA
nA
μ A
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
V GS = ? 25V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
1
?
?
0.5
?
13
22
7
?
2.1
20
27
?
1.2
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 6.9A
V GS = 4.5V, I D = 5A
V DS =5V, I D = 6.9A
V GS = 0V, I S = 1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C iss
C oss
C rss
R G
?
?
?
??
725
114
92
0.89
?
?
?
??
pF
pF
pF
?
V DS = 15V, V GS = 0V
f = 1MHz
V GS = 0V, V DS = 0V, f = 1MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
6.4
13
1.9
3.2
11
7
63
30
?
?
?
?
?
?
?
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V GS = 4.5V, V DS = 15V, I D =5A
V GS = 10V, V DS = 15V, I D = 6.9A
V GS = 4.5V, V DS = 15V, I D = 6.9A
V GS = 4.5V, V DS = 15V, I D = 6.9A
V DD = 15V, V GS = 10V,
R D = 1.8 ? , R G = 6 ?
Notes:
5. Device mounted on 2 oz. Copper pads on FR-4 PCB with R θ JA = 62.5°C/W
6. Pulse width ? 10 μ S, Duty Cycle ? 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMN3033LSD
Document number: DS31262 Rev. 9 - 2
2 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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