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参数资料
| 型号： | DMN3033LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 725pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3033LSD
10
8
2.5
2.2
6
I D = 9A
1.9
I D = 250μA
I D = 7A
4
2
1.6
1.3
0
0
2
4 6 8 10 12
14
1
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
1
0.1
Q g - TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 7 Gate Charge
T A = 150°C
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0.01
0.001
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
0.9
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 105°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMN3033LSD
Document number: DS31262 Rev. 9 - 2
4 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN3033LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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