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参数资料
| 型号： | DMN3033LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 725pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3033LSD
12
V GS = 10V
10
10
V GS = 4.5V
8
V DS = 5V
8
6
6
4
4
T A = 150°C
T A = 125°C
2
V GS = 1.5V
V GS = 3.0V
2
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = 1.0V
V GS = 2.5V
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
1.5
2 2.5 3
3.5
0.1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.1
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0.1
1
10
0.01
0
2
4 6 8 10
1.6
1.5
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
f = 1MHz
1.3
1.2
1.1
1.0
V GS = 10V
I D = 6.9A
V GS = 4.5V
I D = 5A
1,000
C iss
0.9
100
C oss
C rss
0.8
0.7
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
0
5 10 15 20 25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
DMN3033LSD
Document number: DS31262 Rev. 9 - 2
3 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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