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参数资料
| 型号： | DMN3033LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 725pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3033LSD
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
Dim
A
A1
SO-8
Min
-
0.10
Max
1.75
0.20
Detail ‘A’
A2
A3
1.30
0.15
1.50
0.25
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
b
D
E
E1
e
0.3 0.5
4.85 4.95
5.90 6.10
3.85 3.95
1.27 Typ
e
D
b
h
L
??
- 0.35
0.62 0.82
0 ?
8 ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMN3033LSD
Document number: DS31262 Rev. 9 - 2
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3033LSN-7 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
| DMN3050S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| DMN3051L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
| DMN3052L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3 |
| DMN3052LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3033LSN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3033LSN-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3050S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3050S-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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