型号: | DMN32D2LFB4-7 |
厂商: | Diodes Inc |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
其它图纸: | DFN1006H4-3 Side DFN1006H4-3 Bottom |
标准包装: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 300mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.2 欧姆 @ 100mA,4V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 250µA |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 39pF @ 3V |
功率 - 最大: | 350mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
供应商设备封装: | 3-DFN1006H4(1.0x0.6) |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | DMN32D2LFB4DIDKR |