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参数资料
| 型号： | DMN32D2LFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN |
| 其它图纸： | DFN1006H4-3 Side DFN1006H4-3 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 100mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 39pF @ 3V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN32D2LFB4DIDKR |
DMN32D2LFB4
50
f = 1 MHz
40
C iss
30
20
10
C oss
C rss
0
0
5 10 15
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Capacitance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
A
X2-DFN1006-3
Dim
Min
Max Typ
A1
A
?
0.40
?
D
b1
A1
b1
b2
D
E
0
0.10
0.45
0.95
0.55
0.05 0.03
0.20 0.15
0.55 0.50
1.05 1.00
0.65 0.60
E
b2
e
e
L1
??
0.20
?? 0.35
0.30 0.25
L2
0.20
0.30 0.25
L3
?? ??
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C
Dimensions
Value (in mm)
X 1
Z
G1
1.1
0.3
X
G2
G2
X
X1
Y
0.2
0.7
0.25
0.4
Y
G1
C
0.7
Z
DMN32D2LFB4
Document number: DS31124 Rev. 7 - 2
4 of 5
www.diodes.com
June 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN32D2LV-7 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 |
| DMN3300U-7 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
| DMN3404L-7 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| DMN3730U-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 |
| DMN3730UFB-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN32D2LV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN32D2LV-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3300U | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 2A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:600mW ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN3300U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 30Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3300U-7-F | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Product specification |
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