参数资料
型号: DMN3300U-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
产品变化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
Copper Bond Wire Change 3/May/2011
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 193pF @ 10V
功率 - 最大: 600mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
DMN3300U
10
8
8
7
6
V DS = 5V
Pulsed
6
4
5
4
3
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
2
2
1
T A = 25°C
0
0
T A = -55°C
1
V GS = 1.5V
V GS = 2.5V
0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
0.5 1 1.5 2 2.5
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3
0.1
V GS = 4.5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.01
0.01
0.1 1 10
0
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
C iss
C oss
C rss
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5 10 15 20 25
30
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
DMN3300U
Document number: DS31181 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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