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参数资料
| 型号： | DMN3300U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 193pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3300U
10
100
1
10
R DS(on)
Limited
P W = 10 μs
T A = 150°C
0.1
T A = 125°C
0.01
T A = 85°C
T A = 25°C
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.001
T A = -55°C
0.1
T J(max) = 150°C
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
T A = 25°C
Single Pulse
0.0001
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
0.01
0.1
1
10
100
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 SOA, Safe Operation Area
1
0.1
0.01
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 178°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 9 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
D
K1
M
J
K
K1
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
- - 0.400
J
F
G
L
L
0.45 0.61 0.55
M
α
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
DMN3300U
Document number: DS31181 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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