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参数资料
| 型号： | DMN4027SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 604pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4027SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4027SSD
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
40
?
?
?
?
?
?
0.5
? 100
V
μA
nA
I D = 250μA, V GS = 0V
V DS = 40V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 12)
Forward Transconductance (Notes 12 & 13)
Diode Forward Voltage (Note 12)
Reverse recovery time (Note 13)
Reverse recovery charge (Note 13)
V GS(th)
R DS(ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
1.0
?
?
?
?
?
?
0.017
0.031
22.8
0.86
12.1
5.1
3.0
0.027
0.047
?
1.1
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = 250μA, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 7A
V GS = 4.5V, I D = 6A
V DS = 15V, I D = 7A
I S = 7A, V GS = 0V
I S = 2.1A, di/dt = 100A/μs
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 13)
Input Capacitance
C iss
?
604
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge (Note 14)
Total Gate Charge Note 14)
C oss
C rss
Q g
Q g
?
?
??
?
106
59.6
6.3
12.9
?
?
??
?
pF
pF
nC
nC
V DS = 20V, V GS = 0V
f = 1MHz
V GS = 4.5V
V DS = 20V
Gate-Source Charge Note 14)
Gate-Drain Charge Note 14)
Turn-On Delay Time Note 14)
Q gs
Q gd
t D(on)
?
?
?
2.4
3.3
3.1
?
?
?
nC
nC
ns
V GS = 10V
I D = 7A
Turn-On Rise Time Note 14)
Turn-Off Delay Time (Note 14)
Turn-Off Fall Time Note 14)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
3.1
15.4
7.5
?
?
?
ns
ns
ns
V DD = 20V, V GS = 10V
I D = 1A, R G ? 6.0 ?
Notes:
12. Measured under pulsed conditions. Pulse width ? 300μs; duty cycle ? 2%.
13. For design aid only, not subject to production testing.
14. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
DMN4027SSD
Document Number DS33040 Rev 2 - 2
4 of 8
www.diodes.com
April 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4027SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 6A SO8 |
| DMN4030LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK |
| DMN4031SSD-13 | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 |
| DMN4034SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4027SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4027SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 6.1A/- 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4030LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4030LK3_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4030LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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