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参数资料
| 型号： | DMN4027SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 604pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4027SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4027SSD
Typical Characteristics (cont.)
Test Circuits
DMN4027SSD
Document Number DS33040 Rev 2 - 2
6 of 8
www.diodes.com
April 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4027SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 6A SO8 |
| DMN4030LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK |
| DMN4031SSD-13 | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 |
| DMN4034SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 |
| DMN4034SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4027SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4027SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 6.1A/- 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4030LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4030LK3_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4030LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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