参数资料
型号: DMN601DMK-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
产品变化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
产品目录绘图: SOT-26 Package Top
SOT-26 Package Side 1
SOT-26 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 305mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.4 欧姆 @ 200mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 225mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6
供应商设备封装: SOT-26
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMN601DMKDIDKR
DMN601DMK
0
T CH , CHANNEL TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Channel Temperature
1
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
Package Outline Dimensions
A
SOT26
B C
Dim Min Max Typ
A 0.35 0.50 0.38
B
C
1.50 1.70 1.60
2.70 3.00 2.80
D
? ?
0.95
H
H
J
2.90 3.10 3.00
0.013 0.10 0.05
K
M
K
L
1.00 1.30 1.10
0.35 0.55 0.40
J
D
L
M
α
0.10 0.20 0.15
0° 8° ?
All Dimensions in mm
DMN601DMK
Document number: DS30657 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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