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参数资料
| 型号： | DMP2018LFK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 200µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4748pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-U-DFN2523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2018LFK-7DIDKR |
DMP2018LFK
0.03
0.02
0.03
0.02
V GS = -4.5 V
T A = 150°C
T A = 125°C
V GS = -2.5V
T A = 85°C
0.01
V GS = -10V
V GS = -4.5V
0.01
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
1.5
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -5V
0.020
0.018
0.016
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.3
I D = -5A
0.014
V GS = -10V
0.012
V GS = -5V
I D = -5A
1.1
I D = -10A
0.010
0.9
0.7
0.008
0.006
0.004
0.002
V GS = -10V
I D = -10A
0.5
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
1.2
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
30
25
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
20
15
T A = 25°C
0.6
I D = -250μA
10
0.4
0.2
I D = -1m A
5
0
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP2018LFK
Document number: DS35357 Rev. 5 - 2
4 of 7
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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