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参数资料
| 型号： | DMP2018LFK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 200µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4748pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-U-DFN2523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2018LFK-7DIDKR |
DMP2018LFK
10,000
f = 1MHz
100,000
C iss
10,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
1,000
C oss
C rss
100
10
T A = 85°C
100
0
5 10 15
20
1
0
4
T A = 25°C
8 12 16
20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
100
R DS(on)
Limited
8
6
V DS = -16V
I D = -7.2A
10
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
4
2
0.1
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
P W = 1ms
P W = 100μs
P W = 10 μs
0
0
20 40 60 80 100
120
0.01
0.1
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
1
D = 0. 7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Safe Operation Area
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 61°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
D = Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
DMP2018LFK
Document number: DS35357 Rev. 5 - 2
5 of 7
www.diodes.com
March 2012
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