- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录407 > DMP2022LSS-13 (Diodes Inc)MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMP2022LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2444pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2022LSS-13DIDKR |
DMP2022LSS
1.4
1.3
V GS = -2.5V
0.1
1.2
I D = -8.0A
1.1
1.0
V GS = -4.5V
I D = -9.0A
V GS = -10V
I D = -10A
0.01
V GS = -2.5 V
V GS = -3.0V
V GS = -4.5V
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
0.001
0.1
1
10
100
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 3 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
10,000
f = 1MHz
V GS = 0V
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
1.0
0.8
I D = -250μA
1,000
C iss
C oss
0.6
0.4
C rss
0.2
100
0
4
8 12 16
20
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Total Capacitance
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMP2022LSS
Document number: DS31373 Rev. 5 - 2
3 of 5
www.diodes.com
June 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2035U-7 | MOSFET P-CH SOT-23 |
| DMP2035UTS-13 | MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP |
| DMP2035UVT-7 | MOSFET P CH 20V 6A TSOT26 |
| DMP2039UFDE-7 | MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E |
| DMP2039UFDE4-7 | MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2022LSS-7 | 制造商:DIODES 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2033UCB9-7 | 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 33mOhm -20V -5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2035U | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH ESD 20V 3.6A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, ESD, 20V, 3.6A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, ESD, 20V, 3.6A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV ;RoHS Compliant: Yes |
| DMP2035U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2035U-7-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:DMP2035U Series 20 V 35 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。