参数资料
型号: DMP2035U-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH SOT-23
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1610pF @ 10V
功率 - 最大: 810mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMP2035U-7DIDKR
DMP2035U
25
V GS = -8.0V
V GS = -4.5V
V GS = -3.5V
20
20
V GS = -3.2V
V GS = -3.0V
15
V DS = -5V
V GS = -2.0V
15
V GS = -2.5V
10
10
5
T A = 150°C
5
V GS = -1.5V
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
T A = -55°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.5
1
1.5
2
2.5
0.07
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.05
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = -4.5      V
0.06
0.04
T A = 150°C
0.05
0.04
V GS = -1.8V
0.03
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.03
V GS = -2.5V
0.02
T A = -55°C
V GS = -4.5V
0.02
0.01
0.1
1
10
100
0
4
8
12
16
20
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
DMP2035U
Document number: DS31830 Rev. 4 - 2
3 of 7
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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