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参数资料
| 型号： | DMP2035U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2035U-7DIDKR |
10,000
T A = 150°C
10,000
T A = 150°C
DMP2035U
1,000
T A = 125°C
1,000
T A = 125°C
100
T A = 85°C
T A = 25°C
100
T A = 85°C
T A = 25°C
10
1
T A = -55°C
10
1
T A = -55°C
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
100
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
P W = 10 μ s
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
10
R DS(on)
Limited
DC
1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 158°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
D = 0.005
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 14 Transient Thermal Response
DMP2035U
Document number: DS31830 Rev. 4 - 2
5 of 7
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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