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参数资料
| 型号： | DMP2035U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2035U-7DIDKR |
1.6
1.4
1.2
0.06
0.05
0.04
V GS = -2.5V
I D = -5A
DMP2035U
1.0
V GS = -4.5V
I D = -10A
0.03
0.8
0.6
V GS = -2.5V
I D = -5A
0.02
0.01
V GS = -4.5V
I D = -10A
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
1.2
1.0
0.8
0.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
I D = -1m A
I D = -250μA
20
18
16
14
12
10
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
8
T A = 150°C
0.4
0.2
0
6
4
2
0
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
-50 -25
0
25
50
75
100
125 150
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
C iss
1,000
T A = 125°C
1,000
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
C oss
100
C rss
1
T A = -55°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18 20
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
DMP2035U
Document number: DS31830 Rev. 4 - 2
4 of 7
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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