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参数资料
| 型号： | DMP2066LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2066LSDDIDKR |
DMP2066LSD
20
10,000
T A = 25°C
f = 1MHz
16
12
1,000
8
4
C oss
C rss
C iss
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
100
0
5 10 15
20
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
Min
Max
E1 E
A1
L
GAUGE PLANE
SEATING PLANE
A
A1
A2
A3
-
0.10
1.30
0.15
1.75
0.20
1.50
0.25
DETAIL A
b
D
0.3
4.85
0.5
4.95
h
45 °
7 °~ 9 °
E
E1
5.90
3.85
6.10
3.95
A2 A A3
DETAIL A
e
h
1.27 Typ
- 0.35
e
D
b
L 0.62 0.82
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMP2066LSD
Document number: DS31453 Rev. 4 - 2
C2
C1
4 of 5
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2066LSN-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMP2066LSN-7 | 功能描述:MOSFET P-channel 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2066LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LVT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P-CH 20V TSOT26 |
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