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参数资料
| 型号： | DMP2066LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2066LSSDIDKR |
DMP2066LSS
20
10,000
T A = 25°C
f = 1MHz
16
12
1,000
8
4
C oss
C rss
C iss
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
100
0
5 10 15
20
100
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
10
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10 μs
1
0.1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.1
1 10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 SOA, Safe Operation Area
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
e
b
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1 3.85 3.95
e 1.27 Typ
h - 0.35
L 0.62 0.82
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
D
DMP2066LSS
Document number: DS31522 Rev. 3 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2066UFDE-7 | MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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