- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录408 > DMP2069UFY4-7 (Diodes Inc)MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMP2069UFY4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 214pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | DFN2015H4-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2069UFY4-7DIDKR |
DMP2069UFY4
10,000
f = 1MHz
100,000
1,000
10,000
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
C iss
C oss
100
10
T A = 85°C
10
C rss
1
T A = 25°C
0
5 10 15
20
0
5 10 15 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 235°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
Ordering Information (Note 7)
Part Number
DMP2069UFY4-7
Case
DFN2015H4-3
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
Date Code Key
34P
YM
34P = Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: W = 2009)
M = Month (ex: 9 = September)
Year
Code
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMP2069UFY4
Document number: DS31949 Rev. 2 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2070UCB6-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
| DMP2100UCB9-7 | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
| DMP2104LP-7 | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN |
| DMP2104V-7 | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
| DMP2123L-7 | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2070UCB6-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2100U-7 | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A T/R 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CH MOSFET |
| DMP2100UCB9-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2100UQ-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| DMP2104LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。