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参数资料
| 型号： | DMP2069UFY4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 214pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | DFN2015H4-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP2069UFY4-7DIDKR |
DMP2069UFY4
Package Outline Dimensions
A
A3
SEATING PLANE
Dim
DFN2015H4-3
Min Max Typ
A1
z
D
L
A
A1
A3
b
d
?
0
?
0.20
?
0.40 ?
0.05 0.02
? 0.13
0.30 0.25
? 0.30
e
d
D
D2
1.45 1.575 1.50
1.00 1.20 1.10
e
?
?
0.50
E
E2
E
1.95 2.075 2.00
D2
E2
f
0.70
?
0.90 0.80
? 0.60
f
L
z
0.25 0.35 0.30
? ? 0.125
Suggested Pad Layout
b
X
All Dimensions in mm
Y2
Dimensions
C
G
Value (in mm)
1.00
0.15
X1
Y1
X
X1
Y
0.31
1.30
0.50
G
X
Y
Y1
Y2
1.00
0.65
C
DMP2069UFY4
Document number: DS31949 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
November 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2070UCB6-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMP2100UCB9-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2100UQ-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| DMP2104LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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