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参数资料
| 型号： | DMP2070UCB6-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.9nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFBGA，WLBGA |
| 供应商设备封装： | U-WLB1510-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2070UCB6-7DIDKR |
DMP2070UCB6
10
V GS = -4.5V
10
8
V GS = -2.5V
8
V DS = -5.0V
6
4
V GS = -2.0V
V GS = -1.8V
V GS = -1.5V
6
4
2
V GS = -1.2V
2
T A = 150 ° C
T A = 85 ° C
T A = 125 ° C
0
0
1
2 3 4
5
0
0
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0.14
0.12
0.10
0.08
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = -4.5V
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
0.06
T A = -55 ° C
0.04
0.02
0
1
2
3 4 5 6 7 8
9
10
0
1
2 3 4 5 6 7
8
1.7
1.5
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.12
0.10
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
1.3
1.1
0.08
0.06
V GS = -2 .5V
I D = -1 A
V GS = -4.5V
I D = -2 A
0.9
0.7
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0.04
0.02
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMP2070UCB6
Document number: DS35553 Rev. 2 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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