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参数资料
| 型号： | DMP2070UCB6-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.9nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFBGA，WLBGA |
| 供应商设备封装： | U-WLB1510-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2070UCB6-7DIDKR |
DMP2070UCB6
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
Single Pulse
D = 0.005
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 84°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
D
?b (x6)
e
U-WLB1510-6
Dim
Min
Max Typ
E
e
D
E
A
0.90
1.40
?
1.00 1.00
1.50 1.50
0.62 ?
A2
?
?
0.38
A3
0.020
0.030 0.025
A3
e
b
e
0.27
?
0.37 0.32
? 0.50
Suggested Pad Layout
A2
Seating Plane
A
D
All Dimensions in mm
DMP2070UCB6
Document number: DS35553 Rev. 2 - 2
C1
C
C
Dimensions
C
C1
D
5 of 6
www.diodes.com
Value (in mm)
0.50
1.00
0.25
October 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2100UCB9-7 | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMP2100UQ-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| DMP2104LP | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMP2104LP-7 | 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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