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参数资料
| 型号： | DMP2100UCB9-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 P 沟道（双）共源 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 9-UFBGA，WLBGA |
| 供应商设备封装： | U-WLB1515-9（1.51x1.51） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2100UCB9-7DIDKR |
DMP2100UCB9
5
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
4
V GS = -1.8V
V GS = -1.5V
V DS = -5.0V
3
2
V GS = -1.2V
1
T A = 150 ? C
T A = 125 ? C
T A = 85 ? C
T A = 25 ? C
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0
T A = -55 ? C
0.5 1.0 1.5
2.0
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
0
0
1 2 3 4 5
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
6
1.2
1.0
0.8
0.6
Fig. 3 On-Resistance Variation with Temperature
10
9
8
7
6
5
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
4
0.4
3
0.2
2
1
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 6 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP2100UCB9
Document number: DS35725 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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