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参数资料
| 型号： | DMP2100UCB9-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 P 沟道（双）共源 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 9-UFBGA，WLBGA |
| 供应商设备封装： | U-WLB1515-9（1.51x1.51） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2100UCB9-7DIDKR |
DMP2100UCB9
6
f = 1MHz
5
4
C iss
3
2
C oss
1
C rss
0
5 10 15
20
0
0
1 2 3
4
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 8 Gate-Charge Characteristics
R DS(on)
P W = 10 μs
T J(max) = 150°C
10
1
0.1
0.01
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
T A = 25°C P W = 100μs
Single Pulse DUT
on 1 * MRP Board
V GS = -6V
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
0.001
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 70°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 10 Transient Thermal Resistance
DMP2100UCB9
Document number: DS35725 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
July 2013
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