参数资料
型号: DMP2100UCB9-7
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9
标准包装: 1
FET 型: 2 P 沟道(双)共源
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 310pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 9-UFBGA,WLBGA
供应商设备封装: U-WLB1515-9(1.51x1.51)
包装: 标准包装
其它名称: DMP2100UCB9-7DIDKR
DMP2100UCB9
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
D
6X-? b
PIN ID
E
e
e
Dim
A
A2
A3
b
U-WLB1515-9
Min Max Typ
- 0.62 -
- 0.36 0.36
0.020 0.030 0.025
0.27 0.37 0.32
e
e
D
E
e
1.47
1.47
-
1.51 1.49
1.51 1.49
- 0.50
A3
A2
A
All Dimensions in mm
SEATING PLANE
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
D
Dimensions
Value
(in mm)
C1
C
C
C1
C2
D
0.50
1.00
1.00
0.25
C
C2
DMP2100UCB9
Document number: DS35725 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
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