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参数资料
| 型号： | DMP3010LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 30V 17A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6234pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP3010LK3-13DIDKR |
DMP3010LK3
30
V GS = -10V
30
25
V GS = -4.5V
25
V DS = -5 V
V GS = -5.0V
20
15
10
V GS = -3.5V
V GS = -3.0V
V GS = -2.5V
20
15
10
T A = 150°C
5
5
T A = 125°C
T A = 85°C
0
0
V GS = -2.0V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
4
0
0
T A = 25°C
T A = -55°C
0.5 1 1.5 2 2.5
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.020
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.016
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.016
0.014
0.012
V GS = -4.5V
0.012
0.008
V GS = -4.5V
0.010
0.008
0.006
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.004
V GS = -10V
0.004
0.002
0
0
5 10 15 20 25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.6
1.4
1.2
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.020
0.016
0.012
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.0
0.8
V GS = -10V
I D = -20A
V GS = -4.5V
I D = -10A
0.008
0.004
V GS = -4.5V
I D = -10A
V GS = -10V
I D = -20A
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMP3010LK3
Document number: DS35716 Rev. 4 - 2
3 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMP3020LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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