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参数资料
| 型号： | DMP3010LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 30V 17A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6234pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP3010LK3-13DIDKR |
DMP3010LK3
2.5
2.0
1.5
I D = -1m A
30
25
20
1.0
I D = -250μA
15
10
T A = 25°C
0.5
5
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
C iss
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
T A = 150°C
1,000
C oss
C rss
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
10
f = 1MHz
100
0
4 8 12 16
20
1
0
T A = 25°C
5 10 15 20 25
30
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
100
90
Single Pulse
R θ JA = 72°C/W
8
V DS = -15V
I D = -10A
80
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA
70
6
4
2
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40 60 80 100 120 140
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1,000
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
DMP3010LK3
Document number: DS35716 Rev. 4 - 2
4 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMP3015LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMP3020LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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