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参数资料
| 型号： | DMP3010LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 30V 17A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6234pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP3010LK3-13DIDKR |
DMP3010LK3
700
600
Starting Temperature (T J ) = 25°C
80
70
500
E AS
60
50
400
I AS
40
300
30
200
100
20
10
0
0.1 0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
0.9 1.0
INDUCTOR (mH)
Fig. 13 Single-Pulse Avalanche Tested
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.50
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 72°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
D = Single Pulse
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10 100
1,000
10,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 14 Transient Thermal Resistance
DMP3010LK3
Document number: DS35716 Rev. 4 - 2
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www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP3015LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC |
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参数描述 |
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| DMP3015LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP3015LSS-13 | 功能描述:MOSFET P-Channel 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP3020LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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