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参数资料
| 型号： | DMP4050SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 4.4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 674pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP4050SSS-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP4050SSS
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
4V
3.5V
3V
10
T = 150°C
10V
4V
3.5V
3V
2.5V
1
2.5V
1
2V
0.1
0.01
-V GS
0.1
0.01
-V GS
0.1
1
10
0.1
1
10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
-V DS = 10V
1.6
1.4
V GS = -10V
I D = -12A
R DS(on)
1.2
1
T = 150°C
T = 25°C
1.0
0.8
V GS = V DS
V GS(th)
I D = -250uA
0.1
0.6
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-50
0
50
100
150
-V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
-V GS
2.5V
T = 25°C
10
3V
1
1
T = 150°C
3.5V
T = 25°C
0.1
0.1
4V
4.5V
10V
0.01
0.01
0.01 0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.2
DMP4050SSS
Document Number DS32108 Rev 1 - 2
5 of 8
www.diodes.com
March 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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