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参数资料
| 型号： | DMP4050SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 4.4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 674pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMP4050SSS-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP4050SSS
Typical Characteristics - continued
1000
V GS = 0V
10
800
600
400
C ISS
C OSS
C RSS
f = 1MHz
8
6
4
200
2
V DS = -20V
I D = -6A
0
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-V DS - Drain - Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Test Circuits
Current
regulator
Q G
12V
0.2 F
50k
Same as
D.U.T
V G
Q GS
Q GD
Charge
I G
V GS
D.U.T
V DS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
V GS
Pulse width
1 S
Duty factor 0.1%
t r
t (on)
t d(off)
t r
t (on)
t d(on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
DMP4050SSS
Document Number DS32108 Rev 1 - 2
6 of 8
www.diodes.com
March 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP4051LK3-13 | MOSFET P-CH 40V 7.2A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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