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参数资料
| 型号： | DMP58D0LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP58D0LFB-7BDIDKR |
DMP58D0LFB
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
-50
±20
Unit
V
V
Continuous Drain Current (Note 4) V GS = -5V
Continuous Drain Current (Note 5) V GS = -5V
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
Steady
State
T A = +25°C
T A = +70°C
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I D
I DM
-180
-150
-310
-250
-500
mA
mA
mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Power Dissipation (Note 4)
Thermal Resistance, Junction to Ambient @T A = +25°C (Note 4)
Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient @T A = +25°C (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
P D
R θ JA
T J , T STG
Max
0.47
258
1.22
105
-55 to +150
Unit
W
°C/W
W
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = 25°C
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-50
—
—
—
—
—
—
-1.0
±5
V
μA
μA
V GS = 0V, I D = -250 μ A
V DS = -50V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
-0.8
—
—
0.05
—
6
12
—
-2.1
8
18
—
V
?
?
S
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -5V, I D = -100mA
V GS = -2.5V, I D = -10mA
V DS = -25V, I D = -100mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
t D(on)
t r
t D(off)
t f
—
—
—
—
—
—
—
27
4.0
1.4
30.7
84.1
201.8
32.2
—
—
—
—
—
—
—
pF
ns
V DS = -25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V GS = -4.5V, V DS = -30V,
R G = 50 ? , I D = -10mA
Notes:
4. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.
5. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with thermal vias to bottom layer 1inch square copper plate
6. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
DMP58D0LFB
Document number: DS35206 Rev. 6 - 2
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www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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