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参数资料
| 型号： | DMP58D0LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP58D0LFB-7BDIDKR |
DMP58D0LFB
1
0.1
0.01
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 54°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 12 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
X1-DFN1006-3
A1
D
b1
Dim
A
A1
b1
b2
D
Min
0.47
0
0.10
0.45
0.95
Max Typ
0.53 0.50
0.05 0.03
0.20 0.15
0.55 0.50
1.075 1.00
E
b2
e
E
e
0.55
?
0.675 0.60
? 0.35
L1
L2
0.20
0.20
0.30 0.25
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMP58D0LFB
Document number: DS35206 Rev. 6 - 2
5 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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