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参数资料
| 型号： | DMP58D0LFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP58D0LFB-7BDIDKR |
DMP58D0LFB
0.3
V GS = 10V
0.3
V GS = 5V
T A = 85°C
0.25
V GS = 4.0V
0.25
T A = 25°C
T A = 150°C
0.2
V GS = 5.0V
V GS = 4.5V
0.2
T A = -55°C
T A = 125°C
V GS = 3.0V
0.15
0.15
0.1
V GS = 2.5V
0.1
0.05
V GS = 2.0V
V GS = 1.8V
0.05
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
12
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
16
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
10
V GS = 2.5V
14
T A = 150°C
T A = 125°C
12
8
V GS = 4.5V
10
6
4
2
V GS = 10V
8
6
4
2
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25
0.3
0
0
0.05
0.1 0.15 0.2 0.25
0.3
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
12
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
V GS = 10V
I D = 300mA
10
V GS =5V,
I D =150mA
V GS = 5V
I D = 150mA
1.3
8
1.1
0.9
0.7
0.5
6
4
2
0
V GS =10V,
I D =300mA
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance vs. Temperature
DMP58D0LFB
Document number: DS35206 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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