参数资料
型号: DMS2120LFWB-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
产品目录绘图: P-Channel DFN
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫欧 @ 2.8A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.3V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 632pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN3020B(3x2)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMS2120LFWB-7DIDKR
DMS2120LFWB
10,000
1,000
C iss
f = 1MHz
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
I D = -1mA
100
10
C oss
C rss
0.4
0.3
0.2
I D = -250μA
0
4
8 12 16
20
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
8
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 7 Typical Capacitance
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
6
4
2
0
0
T A = 25°C
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2120LFWB
Document number: DS31667 Rev. 5 - 2
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www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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