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参数资料
| 型号： | DMS2120LFWB-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN |
| 产品目录绘图： | P-Channel DFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 632pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN3020B（3x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMS2120LFWB-7DIDKR |
DMS2120LFWB
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
U-DFN3020-8
A
A3
Type B
Dim
Min
Max Typ
A1
D
A
A1
A3
0.77
0
-
0.83 0.80
0.05 0.02
- 0.15
D4
D4
b
D
D2
D4
e
0.25 0.35 0.30
2.95 3.075 3.00
0.82
1.02 0.92
1.01
1.21 1.11
-
- 0.65
E
D2
E2
E
E2
1.95 2.075 2.00
0.43 0.63 0.53
Z
b
e
L
0.25
0.35 0.30
L
Z - - 0.375
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C
X1
Dimensions
Value (in mm)
Y1
a
0.09
G
b
a
X2
Y2
b
C
G
X1
X2
Y1
Y2
0.365
0.65
0.285
0.4
1.12
0.5
0.73
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS2120LFWB
Document number: DS31667 Rev. 5 - 2
6 of 7
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMS2220LFDB-7 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN |
| DMS2220LFW-7 | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN |
| DMS3012SFG-7 | MOSFET N CH 30V POWERDI 3333-8 |
| DMS3014SFG-7 | MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8 |
| DMS3014SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMS2220LFDB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR? SUPER BARRIER RECTIFIER |
| DMS2220LFDB-7 | 功能描述:MOSFET 20V 3.5A P-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS2220LFW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR |
| DMS2220LFW-7 | 功能描述:MOSFET 20V 2.9A P-CHNL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS-2-250 | 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXER |
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