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参数资料
| 型号： | DS1220AB |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16K Nonvolatile SRAM(16K非易失性SRAM) |
| 中文描述： | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24 |
| 封装： | 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | DS1220AB |
DS1220AB/AD
021998 3/10
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature
–0.3V to +7.0V
0
°
C to 70
°
C; –40
°
C to +85
°
C for IND parts
–40
°
C to +70
°
C; –40
°
C to +85
°
C for IND parts
260
°
C for 10 seconds
* This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
PARAMETER
(t
A:
See Note 10)
UNITS
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
DS1220AB Power Supply Voltage
V
CC
4.75
5.0
5.25
V
DS1220AD Power Supply Voltage
V
CC
4.50
5.0
5.50
V
Logic 1
V
IH
2.2
V
CC
V
Logic 0
V
IL
0.0
+0.8
V
(V
CC
=5V + 5% for DS1220AB)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
(t
A:
See Note 10) (V
CC
=5V + 10% for DS1220AD)
TYP
MAX
SYMBOL
MIN
UNITS
NOTES
Input Leakage Current
I
IL
–1.0
+1.0
μ
A
I/O Leakage Current
CE>V
IH
<V
CC
Output Current @ 2.4V
I
IO
–1.0
+1.0
μ
A
I
OH
–1.0
mA
Output Current @ 0.4V
I
OL
2.0
mA
Standby Current CE = 2.2V
I
CCS1
5.0
10.0
mA
Standby Current CE = V
CC
–0.5V
I
CCS2
3.0
5.0
mA
Operating Current t
CYC
=200 ns
(Commercial)
I
CC01
75
mA
Operating Current t
CYC
=200 ns
(Industrial)
I
CC01
85
mA
Write Protection Voltage
(DS1220AB)
V
TP
4.5
4.62
4.75
V
Write Protection Voltage
(DS1220AD)
V
TP
4.25
4.37
4.5
V
CAPACITANCE
PARAMETER
(t
A
=25
°
C)
NOTES
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
C
IN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
C
I/O
5
12
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1220AD | 16K Nonvolatile SRAM(16K非易失性SRAM) |
| DS1220Y | 16K Nonvolatile SRAM(16K 非易失性静态RAM) |
| DS1221 | Nonvolatile Controller x 4 Chip(非易失性控制器x 4芯片) |
| DS1222 | BankSwitch Chip(存储器组切换芯片) |
| DS1225AB | 64K Nonvolatile SRAM(64K非易失性静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1220AB/AD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB_10 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220AB-100+ | 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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