参数资料
型号: DS1220AB
厂商: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC
元件分类: DRAM
英文描述: 16K Nonvolatile SRAM(16K非易失性SRAM)
中文描述: 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24
封装: 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24
文件页数: 4/9页
文件大小: 90K
代理商: DS1220AB
DS1220AB/AD
021998 4/10
(V
CC
=5.0V + 5% for DS1220AB)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A:
See Note 10) (V
CC
=5.0V + 10% for DS1220AD)
DS1220AB–100
DS1220AD–100
DS1220AD–120
PARAMETER
SYMBOL
DS1220AB–120
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
100
120
ns
Access Time
t
ACC
100
120
ns
OE to Output Valid
t
OE
50
60
ns
CE to Output Valid
t
CO
100
120
ns
OE or CE to Output Active
t
COE
5
5
ns
5
Output High Z from Deselec-
tion
t
OD
35
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
t
OH
5
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
100
120
ns
Write Pulse Width
t
WP
75
90
ns
3
Address Setup Time
t
AW
0
0
ns
Write Recovery
Time
t
WR1
t
WR2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
Output High Z from WE
t
ODW
35
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
5
ns
4
Data Setup Time
t
DS
40
50
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
相关PDF资料
PDF描述
DS1220AD 16K Nonvolatile SRAM(16K非易失性SRAM)
DS1220Y 16K Nonvolatile SRAM(16K 非易失性静态RAM)
DS1221 Nonvolatile Controller x 4 Chip(非易失性控制器x 4芯片)
DS1222 BankSwitch Chip(存储器组切换芯片)
DS1225AB 64K Nonvolatile SRAM(64K非易失性静态RAM)
相关代理商/技术参数
参数描述
DS1220AB/AD 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB_10 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220AB-100+ 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220AB-100IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube