参数资料
型号: DS1220AD
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: DRAM
英文描述: 16K Nonvolatile SRAM(16K非易失性SRAM)
中文描述: 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24
文件页数: 6/9页
文件大小: 90K
代理商: DS1220AD
DS1220AB/AD
021998 6/10
ADDRESSES
CE
OE
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OUT
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RC
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IL
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IH
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ACC
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OUTPUT
DATA VALID
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READ CYCLE
SEE NOTE 1
ADDRESSES
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AW
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WR1
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ODW
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OEW
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DS
t
DH1
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
HIGH
INPEDANCE
WRITE CYCLE 1
DATA IN
STABLE
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
ADDRESSES
CE
WE
D
OUT
D
IN
t
WC
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WP
t
AW
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t
COE
t
ODW
t
DS
t
DH2
DATA IN
STABLE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
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PDF描述
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参数描述
DS1220AD-100 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220AD-100+ 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220AD-100IND 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1220AD-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM
DS1220AD-100IND+ 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube