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参数资料
| 型号： | DS1221 |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | Nonvolatile Controller x 4 Chip(非易失性控制器x 4芯片) |
| 中文描述： | 3-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDIP16 |
| 封装： | 0.300 INCH, DIP-16 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | DS1221 |
DS1221
072498 5/8
CAPACITANCE
(t
A
= 25
°
C)
NOTES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
C
IN
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
7
pF
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(0
°
C to 70
°
C; V
CC
= 4.5 to 5.5V)
MAX
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
NOTES
CE Propagation Delay
t
PD
5
15
25
ns
5
CE High to Power–Fail
t
PF
0
ns
Address Setup
t
AS
20
ns
9
(0
°
C to 70
°
C; V
CC
< 4.5V)
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
NOTES
Recovery at Power Up
t
REC
2
5
10
ms
V
CC
Slew Rate 4.5 – 4.25V
t
F
300
μ
s
V
CC
Slew Rate 4.25 – 3V
t
FB
10
μ
s
V
CC
Slew Rate 4.25 – 4.5V
t
R
0
μ
s
CE Pulse Width
t
CE
1.5
μ
s
7, 8
NOTES:
1. All voltages are referenced to ground.
2. Only one battery input is required.
3. Measured with V
CCO
and CE0 – CE3 open.
4. I
CCO1
is the maximum average load which the DS1221 can supply to the memories.
5. Measured with a load as shown in Figure 4.
6. I
CCO2
is the maximum average load current which the DS1221 can supply to the memories in the battery back–up
mode.
7. Chip enable outputs CE0 – CE3 can only sustain leakage current in the battery back–up mode.
8. t
CE
max. must be met to ensure data integrity on power loss.
9. t
AS
is only required to keep the decoder outputs glitch–free. While CE is low, the outputs (CE0 – CE3) will be de-
fined by inputs A and B with a propagation delay of t
PD
from an A or B input change.
10.For applications where higher currents are required, please see the DS1259 Battery Manager Chip data sheet.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1222 | BankSwitch Chip(存储器组切换芯片) |
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| DS1225AD | 16K Nonvolatile SRAM(64K非易失性SRAM) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DS1221SN | 功能描述:IC CTRLR/DECODER 4BIT IN 16-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| DS1222 | 功能描述:IC BANKSWITCH CMOS 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
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