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参数资料
| 型号： | DS1230AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
| 中文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | DS1230AB |
DS1230Y/AB
042398 4/12
(V
CC
=5V
±
5% for DS1230AB)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
10% for DS1230Y)
DS1230AB-85
DS1230Y-85
DS1230Y-100
PARAMETER
SYMBOL
DS1230AB-70
DS1230Y-70
DS1230AB-100
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
70
85
100
ns
Access Time
t
ACC
70
85
100
ns
OE to Output Valid
t
OE
35
45
50
ns
CE to Output Valid
t
CO
70
85
100
ns
OE or CE to Output Active
t
COE
5
5
5
ns
5
Output High Z from Dese-
lection
t
OD
25
30
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
t
OH
5
5
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
70
85
100
ns
Write Pulse Width
t
WP
55
65
75
ns
3
Address Setup Time
t
AW
0
0
0
ns
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
Output High Z from WE
t
ODW
25
30
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
5
5
ns
5
Data Setup Time
t
DS
30
35
40
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1230AB-100+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-100IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-120 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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