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参数资料
| 型号： | DS1230AB |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
| 中文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | DS1230AB |
DS1230Y/AB
042398 7/12
WRITE CYCLE 2
t
WC
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
ADDRESSES
CE
WE
D
OUT
D
IN
DATA IN STABLE
t
AW
t
WP
t
WR2
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
t
COE
t
ODW
t
DS
t
DH2
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
V
CC
3.2V
t
F
t
PD
t
R
t
REC
DATA RETENTION
TIME
t
DR
LEAKAGE CURRENT
I
SUPPLIED FROM
LITHIUM CELL
CE
V
TP
SEE NOTE 11
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1230AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-120 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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