参数资料
型号: DS1230AB
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: DRAM
英文描述: 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM)
中文描述: 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28
文件页数: 9/12页
文件大小: 120K
代理商: DS1230AB
DS1230Y/AB
042398 9/12
DC TEST CONDITIONS
Outputs Open
Cycle = 200 ns for operating current
All voltages are referenced to ground
AC TEST CONDITIONS
Output Load: 100 pF + 1TTL Gate
Input Pulse Levels: 0 – 3.0V
Timing Measurement Reference Levels
Input: 1.5V
Output: 1.5V
Input pulse Rise and Fall Times: 5 ns
ORDERING INFORMATION
DS1230 TTP – SSS – III
Operating Temperature Range
blank: 0
°
to 70
°
IND: –40
°
to 85
°
C
Access
70:
85:
100:
120:
150:
200:
200 ns
Package Type
blank:
28–pin 600 mil DIP
P:
34–pin PowerCap Module
Speed
70 ns
85 ns
100 ns
120 ns
150 ns
V
Tolerance
AB:
±
5%
Y:
±
10%
DS1230Y/AB NONVOLATILE SRAM, 28–PIN 740 MIL EXTENDED DIP MODULE
A
1
DIM
MIN
MAX
A
IN.
MM
B
IN.
MM
C
IN.
MM
D
IN.
MM
E
IN.
MM
F
IN.
MM
G IN.
MM
H
IN.
MM
J
IN.
MM
K
IN.
MM
1.480
37.60
1.500
38.10
0.720
18.29
0.740
18.80
0.355
9.02
0.375
9.52
0.080
2.03
0.110
2.79
0.015
0.38
0.025
0.63
0.120
3.05
0.160
4.06
0.090
2.29
0.110
2.79
0.590
14.99
0.630
16.00
0.008
0.20
0.012
0.30
0.015
0.38
0.021
0.53
C
F
G
K
D
H
B
E
J
28–PIN
PKG
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DS1230AB-100 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230AB-100+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230AB-100IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-100-IND 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-120 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube