型号: | DS1230AB |
厂商: | DALLAS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
中文描述: | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
文件页数: | 9/12页 |
文件大小: | 120K |
代理商: | DS1230AB |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DS1230AB-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1230AB-100+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
DS1230AB-100IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
DS1230AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
DS1230AB-120 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |