参数资料
型号: DS1258Y
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: DRAM
英文描述: 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM)
中文描述: 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP40
文件页数: 5/9页
文件大小: 73K
代理商: DS1258Y
DS1258Y/AB
022598 5/9
(V
CC
=5V
±
5% for DS1258AB)
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t
A
:
0
°
C to 70
°
C
) (V
CC
=5V
±
10% for DS1258Y)
DS1258AB–70
DS1258Y–70
DS1258Y–100
PARAMETER
SYMBOL
DS1258AB–100
UNITS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
t
RC
70
100
ns
Access Time
t
ACC
70
100
ns
OE to Output Valid
t
OE
35
50
ns
CE to Output Valid
t
CO
70
100
ns
OE or CE to Output Valid
t
COE
5
5
ns
5
Output High Z from Deselection
t
OD
25
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
t
OH
5
5
ns
Write Cycle Time
t
WC
70
100
ns
Write Pulse Width
t
WP
55
75
ns
3
Address Setup Time
t
AW
0
0
ns
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
5
15
5
15
ns
ns
12
13
Output High Z from WE
t
ODW
25
35
ns
5
Output Active from WE
t
OEW
5
5
ns
5
Data Setup Time
t
DS
30
40
ns
4
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
READ CYCLE
t
RC
t
ACC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
OH
V
IH
t
OD
t
OD
V
IH
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
t
COE
t
COE
OUTPUT
DATA VALID
D
OUT
OE
ADDRESSES
V
IH
V
IH
t
OE
V
IL
V
IL
CEU, CEL
t
CO
SEE NOTE 1
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