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参数资料
| 型号： | DS1258Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 128K X 16 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP40 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | DS1258Y |
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ADDRESSES
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SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7 AND 13
DS1258Y/AB
022598 6/9
WRITE CYCLE 1
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ADDRESSES
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DATA IN STABLE
HIGH
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DS
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DH1
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IH
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CEU, CEL
WE
D
OUT
D
IN
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1258W | 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性静态RAM) |
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| DS1260 | Smart Battery(智能电池) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258Y/AB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:128K x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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